隨著半導體IC技術的快速發(fā)展,其集成化程度越來越高,制造工藝越來越精密復雜,但對外部環(huán)境的抗干擾能力卻隨之減弱,更易受到ESD靜電放電和Surge浪涌過沖等EOS過電應力的干擾和破壞。在過壓保護領域,瞬態(tài)電壓抑制器TVS得到了廣泛應用。然而常規(guī)工藝TVS防護器件由于器件架構及工藝水平的限制已無法做到有效且不影響電路性能的防護,客戶應用中需要鉗位電壓更低,結電容小,防護效果更優(yōu)的保護器件。

作為國內(nèi)領先的模擬與分立半導體設計公司,豪威集團旗下的韋爾半導體一直專注于高效能電路保護器件的工藝研發(fā),其在常規(guī)DIODE工藝基礎上結合觸發(fā)管特性設計出全新SCR工藝特性防護器件。新工藝TVS器件具有超低鉗位電壓,相比常規(guī)工藝TVS防護效果更優(yōu),同時具有極低的結電容,適用于保護高速信號端口芯片不受ESD/Surge干擾而損壞。

目前韋爾半導體已打造出多款適用于新型電子領域的過壓保護器件,使用時并聯(lián)在被保護信號電路兩端,具有精確導通、快速響應、浪涌吸收能力強、可靠性高等特點。其中ESD73144D和ESD73311CZ兩款產(chǎn)品主要應用于USB2.0/3.2及HDMI1.3/1.4/2.0等高速信號線的防護。

ESD73144D作為四路/單向超低電容TVS產(chǎn)品,采用DFN2510-10L封裝,可滿足輕薄小巧的便攜式電子產(chǎn)品對于組件封裝的嚴苛要求。在ESD耐受能力方面,ESD73144D提供了高達±15kV(接觸放電)的ESD保護能力,并能承受高達8A (8/20μs)的峰值脈沖電流。該保護器件擁有超低箝制電壓,可有效防止電子元件免受EOS過電應力的損傷,從而為高速數(shù)據(jù)接口保駕護航。